전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
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작성일 23-02-14 10:43
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순서
계측기 - DMM
VO (측정(measurement)값) = 4.444V
c) DMM으로 전압 VD와 VO를 측정(measurement)하고, 측정(measurement)값 으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라.
ID (측정(measurement)값으로부터) = VO/R2 = 0.0014A
1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge
d. 다음과 같은 회로를 구성하라. 저항값들을 측정(measurement)하고 기록하라.
설명
VO(계산값) ＝ 5V - 0.573V = 4.427V
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고
-전원 (직류전원)
다.
레포트 > 공학,기술계열
VD에 마주향하여 는 VT 값을 기입하라.
VD = VT = 0.573V
VD에 마주향하여 는 VT 값을 기입하라.
VO (계산값) = 1.383V
ID(계산값) = ID = VO / R = 4.427 / 2.168K = 0.002 A
전자회로,직렬,병렬,다이오드
e. 순서1에서 측정(measurement)한 VD와 VO 그리고 측정(measurement)값 R1, R2를 이용하여 VO와 ID의 theory 적인 값을 계산하라.
실험 순서
f. DMM으로 전압 VD와 VO를 측정(measurement)하고, 측정(measurement)값으로부터 전류 ID를 계산하라. 순서 2(e)의 결과와 비교하라.
VD (측정(measurement)값) = 0.603 mV
전자회로 설계 및 실험 - 직렬 및 병렬 다이오드 구조
ID (측정(measurement)값으로부터) = VO/R = 0.002A
VD (측정(measurement)값) = 0.623mV
실험 목적 : 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고, 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정한다. 실험 소요장비 계측기 - DMM 부품 - 저항 - 다이오드 1) 1kΩ , 2.2kΩ 1)Si , 2)Ge -전원 (직류전원) 실험 순서
실험 소요장비
ID (계산값) = 0.0013A
VD = 0.573V
b) 순서 1에서 측정(measurement)한 Si 다이오드의 문턱 전압과 R의 측정(measurement)값을 이용하여 VO와 ID의 theory 적인 값을 계산하라.
부품 - 저항 - 다이오드
VO (측정(measurement)값) = 1.407V
측정한다.
