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이미터 접지 트랜지스터의 특성(特性) 실험

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작성일 24-05-09 02:43

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이미터 접지 트랜지스터의 특성(特性) 실험
설명

목적
이미터 접지 transistor(Common Emitter Transistor)의 동작 원리를 배우고 중요한 전기적 特性(특성)를 觀察(관찰) 하고 측정(測定) 하여 해석한다.
서론
쌍극성(bipolar) transistor는 이미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector)의 세 개의 영역으로 구성되어 있으며 두 개의 접합면을 가지고 있고 NPN와 PNP의 2종류가 있다. 베이스 내의 케리어(carrier)의 흐름을 매개로 이미터 전류의 alteration(변화) 가 콜렉터 전류의 alteration(변화) 로 나타나는 전류 제어형 소자이다.
이미터 접지는 전압, 전류 및 전력의 증폭율이 커서 베이스나 콜렉터 접지보다 더 많이 사용된다. 그러므로 이미터 접지에 대한 기본 전기적 特性(특성)을 이해하는 것은 매우 중요하다. 이 experiment(실험)에서 베이스, 콜렉터 전류 관계와 콜렉터 대 이미터 전압 관계를 觀察(관찰) 하고 측정(測定) 을 하며 콜렉터 特性(특성) 곡선을 그리고 그 特性(특성) 곡선으로부터 소자의 전류 이득을 얻는다.
experiment(실험) 부품 및 기기
전자experiment(실험)기(ED-2100): NO-20021대전압계(VOM)1대NPNtransistor1개1㏀ 저항: 1/4…(skip)

그림 1 experiment(실험)회로


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