전자 Engineering의 과거와 오늘
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작성일 23-07-27 12:43
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이 산화막은 다음에 說明(설명) 할 전계efficacy transistor(트랜지스터) 에 필수적이다. 1960년쯤에는 진공관이 transistor(트랜지스터) 로 상당히 대체되었다. 실리콘은 규소·규산염의 형태로 지각의 25를 형성하며 산소다음으로 많은 원소이고, 전기적 특성(特性)이 우수하여 각광받는 반도체 재료로 부상했다. transistor(트랜지스터) 는 소량의 다른 원소를 첨가함으로써 그 성질이 크게 alteration(변화) 하는 반도체결정으로부터 만들어진다. 수십만 개의 transistor(트랜지스터) 를 쓰는 컴퓨터, 소형이며 가벼운 시스템을 필요로 하는 미사일 유도…(省略)
1. 개요, , 2. 전자공학의 역사, 1)초기의 발달, 2) 진공관시대, 3) 트랜지스터의 발명 :반도체 혁명, 4) 디지털 전자공학, 5) 광전자공학, 6) 마이크로 전자공학의 경향, 7) 초전도 전자공학, , 3. 전자공학의 과학, , 4. 주요소자와 부품, FileSize : 30K , 전자 공학의 과거와 오늘공학기술레포트 , 전자공학 반도체혁명 진공관시대 초전도전자공학 광전자공학
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설명
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다. 전류는 음전하를 가진 전자와 양전하를 가진 양공(hole)에 의해서 흐르며 두 종류의 전하가 있음으로 해서 많은 유용한 소자들이 만들어진다. 그후 집적회로(integrated circuit/IC)가 중요해지면서 알게된 실리콘의 중요한 특성(特性) 중 1가지는 실리콘 결정 위에 탁월한 절연막인 산화막(SiO2)을 기를 수 있다는 것이었다.
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전자 Engineering의 과거와 오늘
transistor(트랜지스터) 의 발명반도체 혁명 벨 연구소의 존 바딘, 월터 H. 브래튼, 윌리엄 B. 쇼클리에 의해서 1947년 transistor(트랜지스터) 가 개발되었다. 초기의 transistor(트랜지스터) 는 순도문제 때문에 게르마늄(Ge)이 쓰였으나 1950년대말에는 소자에 쓰일 수 있을 만큼 실리콘(Si)을 정제할 수 있게 되었다.
