기초전기전자 experiment(실험) - transistor(트랜지스터) (고정 bias 회로설계)
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작성일 23-02-15 04:04
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전자는 -전하를 띄고 있으므로 강한 +전압에 의한 전기장에 이끌려 휘리릭~하고 컬렉터쪽으로 끌려들어간다.
걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주면 PNP이다.
목 적 1)TR의 특성을 이해하고 특성중 전류증폭을 확인하라. 2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자. 2. 이 론 저번주 실험은 트랜지스터의 “스위치작용”였고 이번 실험은 “전류증폭”이다.
우리가 다이오드때 배웠던 도핑 농도에 따른 확산(diffusion)과는 달리 전기장에 의한 전류가 바로 드리프트 전류라고 한다. 그래서 이론은 트랜지스터 이므로 동일하여 같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다. 즉, PNP TR에서는 정공이 전류의 주된 역할을 하게 되지요.)
이번 experiment(실험)은 “전류증폭”이다.
일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인(原因)은 전자가 되겠구요.(사실 정공도 기여를 하지만 전자가 더 많이 기여합니다.
같이 사용하고 전류증폭에 관련된 것을 뒤에 더 추가하였다.
설명
즉, 위에서 컬렉터 쪽에는 높은 +전압이 걸려있기 때문에(그림에서 보시면 컬렉터 쪽이 전지의 +극이다. 그래서 理論(이론)은 transistor(트랜지스터) 이므로 동일하여
목 적
NPN TR의 Active mode의 동작을 위의 그림에서 설명(explanation)하고 있다.
순서
2. 이 론
기초전기전자 실험,트랜지스터,고정 bias 회로설계
다.
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저번주 experiment(실험)은 transistor(트랜지스터) 의 “스위치작용”였고
기초전기전자 experiment(실험) - transistor(트랜지스터) (고정 bias 회로설계)
본래 평형상태에서는 이미터와 베이스 사이에 공핍층이 형성되어있기 때문에 전자가 이미터에서 베이스로 쉽게 넘어가
1)TR의 특성(特性)을 이해하고 특성(特性)중 전류증폭을 확인하라.
2)펑션 제너레이터를 이용하여 전류증폭작용을 DSO를 통해 확인하자.
PNP TR이나 NPN TR이나 Active mode에서 동작하기 위해서는 위와 같이 E-B에 순방향 전압(Forward bias)를
지 못하지만 위와 같이 순방향 전압을 걸어주게 되면 다이오드에서 정리(整理) 했던 것과 같이 전위장벽이 낮아지고 공핍층이 얇아져서 충분히 전자가 이미터에서 베이스로 넘어올 수 있게 된다.
이렇게 많은 수의 전자가 이미터에서 베이스로 넘어오게 되면 그 전자들은 컬렉터 쪽으로 빠르게 표류를 하게 된다.
